技术编号：13983797
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术为了减小MOS(Metal-Oxide-Silicon，金属-氧化物-半导体)器件源/漏区的接触电阻，会引入金属硅化物(Silicide)工艺，即在源漏区之间的衬底上设置金属硅化物层；为了减小多晶硅(Poly)的接触电阻，会引入多晶硅化物(Polycide)工艺；在自对准的CMOS(Complementary Metal-Oxide-Silicon，互补型金属-氧化物-半导体)工艺中，将Silicide过程和Polyc...
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