技术编号:14059505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种ESD钳位电路及集成电路。。背景技术随着集成电路工艺的进步,金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的特征尺寸越来越小,栅氧化层的厚度也越来越薄,在这种趋势下,使用高性能的静电放电(Electron Static Discharge,ESD)防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。。在集成电路的静电放电时会产生数百甚至数千伏特的高压,将集成电路中输...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。