技术编号:14059517
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件技术领域,具体涉及一种平面MOS器件及其制造方法。背景技术众所周知,普通的MOSFET只适合于漏极和源极击穿电压较低的情况,实际中一般电压限制在10V~30V的情况,这主要受到普通MOSFET结构的限制,首先在高漏源电压的应用当中需要的沟道长度很长,而沟道长度的增加又会带来不可接受的沟道电阻,更增加了器件面积;其次如漏源电压越高漏极和源极界面处栅氧化层处的电场强度越强,这就要求具有更厚的栅氧化层,从而对器件的阈值电压产生严重的影响。双扩散MOS结构(DMOS)的出现解决了...
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