技术编号:14078130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种将加热后的处理液供给到基板来对基板进行处理的技术。背景技术在半导体器件的制造工序中,在形成于半导体晶圆等基板(以下也简称为“晶圆”)的处理对象膜之上以规定图案形成抗蚀剂膜,将该抗蚀剂膜作为掩模来对处理对象膜实施蚀刻、离子注入等处理。处理后,从晶圆上去除不需要的抗蚀剂膜。作为抗蚀剂膜的去除方法,经常使用SPM处理。SPM处理是通过向抗蚀剂膜供给将硫酸和过氧化氢水混合所得到的高温的SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture:硫酸过氧化氢混合物...
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