技术编号:14124065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。2016年9月29日提交的日本专利申请No.2016-191234的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。技术领域本发明涉及半导体装置。例如,本发明涉及能够控制MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的反向偏置电压的半导体装置。背景技术已知一种用于控制衬底的反向偏置电压以便根据需要改变MOSFET的阈值电压以减少待机状态下的泄漏电流的技术。发明内容然而,用于生成反向偏置电压的现有技术电路的驱动功率降低,以减少待机状态所需的功率。这导致在操作状态和待机状态之间转变需要很长...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。