技术编号:14177512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备技术领域,尤其涉及一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法。背景技术在晶圆的制造过程中,如图1所示,在晶圆的键合界面上每个Si原子的周围都有四对共价键,而键合界面处的硅原子上方没有其它硅原子,此时就构成了一些不饱和的“悬挂键”,提高这些选悬挂键的键合程度则有利于提高器件的性能,现有的键合悬挂键的方法,主要是在键合界面进行后续的沉积氧化物介质层时,将氧化物介质层中所存在的少量氧原子与键合界面上的悬挂键进行键合,但是这种方式存在键合程度较低,影响最终器件的噪点性能的问题。发明内容针对现有...
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