技术编号:14177529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种全耗尽SOI结构的制作方法。背景技术在绝缘体上硅(SOI)技术中,在覆盖例如氧化硅的绝缘材料层的薄硅层上形成金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)。形成在SOI上的装置提供优于其大块对应物的许多优点。举例来说,SOI装置一般具有减少的结电容、小到没有的反向主体效应、软错误免疫性、完全的介电隔离以及小到没有的栓锁效应。因此,SOI技术可实现较高速的性能、较高的组装密度以及减少的功率消耗。现有技术中,存在两种类型的常规SOI结构:部分耗尽SOI(PD-S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。