技术编号：14212000
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于将形成于基板表面的氧化膜还原的基板处理方法及基板处理装置。背景技术作为将从接触孔等露出的金属膜表面上所形成的氧化膜还原的方法，已知有使用包含含氢气体和氦气的混合气体的等离子的方法。在该方法中，通过氧化膜中所含的氧与等离子中所含的氢离子或氢自由基反应而还原氧化膜(例如，参照专利文献1)。【现有技术文献】【专利文献】[专利文献1]日本特开2001-203194号公报发明内容(发明所要解决的课题)然而，在上述方法中，希望提高生成等离子所需的每单位耗电的氧化膜的还原速度。本发明的目的为...
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