技术编号:14251441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体技术领域,具体来说,涉及一种晶圆键合方法。背景技术在半导体制造过程中,有时需要将器件晶圆和承载晶圆进行键合。高温键合技术的键合强度高,但存在一些问题,例如,破坏晶圆内部的金属结构、引起晶圆内部的杂质扩散、以及因热膨胀系数不同引起的晶圆变形等。因此,存在对新技术的需求。发明内容本公开的一个目的是提供一种新的晶圆键合方法,在不对晶圆造成不良影响的情况下,提高晶圆之间的键合强度。根据本公开的第一方面,提供了一种晶圆键合方法,包括:对第一晶圆的待键合表面进行活化处理,和/或对第二晶圆的待...
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