技术编号：14268455
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光通信集成器件领域，具体来讲涉及一种渐变匹配耦合器。背景技术硅基光子芯片与光纤的耦合非常关键。硅基光纤耦合分为光栅耦合和端面耦合两种。光栅耦合器必须垂直于芯片入射，而且带宽受限。端面耦合器一般采用倒锥结构，即耦合器的硅波导宽度向着耦合端面方向逐渐变窄。为了实现与光纤相匹配的大模场，一般将包覆硅波导的埋氧层和衬底硅挖空，实现悬浮的二氧化硅波导，并在二氧化硅波导周围填入折射率略低于二氧化硅的匹配液实现模场的扩大。光从光纤耦合进硅波导分为两个过程，先是从光纤耦合进二氧化硅波导，需要接近光纤的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。