技术编号:14270279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种鳍式场效应管及其形成方法。背景技术随着半导体器件集成度不断增大,半导体器件相关的临界尺寸不断减小,相应的出现了很多问题,如器件漏源区的表面电阻和接触电阻相应增加,导致器件的响应速度降低,信号出现延迟。因此,低电阻率的互连结构成为制造高集成度半导体器件的一个关键要素。为了降低器件漏源掺杂区的接触电阻,引入了金属硅化物的工艺方法,所述金属硅化物具有较低的电阻率,可以显著减小漏源极的接触电阻。金属硅化物和自对准金属硅化物及形成工艺已被广泛地用于降低器件源极和漏...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。