技术编号:14300527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶硅料的制备装置及方法,具体涉及一种液态硅生产装置及方法。背景技术现有的多晶硅生产方法主要包括改良西门子工艺或流化床工艺,其中改良西门子工艺生产的多晶硅约占85%以上,工艺原理以氯硅烷和氢气为原料,在还原炉反应器内的硅芯表面,在1000-1200℃温度下反应生产多晶硅。多晶硅还原炉需要耐高压、高温和腐蚀性气体,炉筒和底盘需设计冷却水流道,并为进气口、尾气出口和电极流出足够的位置,设备制造难度大。设备大型化后,虽然能提高单炉产能,但设备的制造难度也加大,无形中增加了产品成本。另外,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。