技术编号：14345142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅单晶纳米线拉断后的自愈合方法，具体涉及半导体器件和装备的长寿命、可靠性和稳定性，特别涉及碳化硅半导体器件和装备的长寿命及可靠性。背景技术碳化硅具有独特的物理、机械和电子学性能，例如高导热系数、高击穿电压和高的带隙宽度，因此碳化硅成为高能和高温电子、光电和机电器件的最广泛的应用材料。碳化硅也是下一代电子器件最有前途的材料。碳化硅广泛应用于高温、高能、高电压、高电流和高频等苛刻环境和极端条件，这些极端条件使得碳化硅材料发生断裂的可能性大大增高，一旦碳化硅断裂，将导致器件的失效，对...
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