技术编号：1440505
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体硅片加工设备的维护方法，尤其涉及一种硅片刻蚀腔室的清洗 方法。背景技术半导体硅片的等离子体刻蚀是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩 膜图形复制到半导体硅片表面，等离子刻蚀具有选择性好、对衬底的损伤较小，各项异性 好等特点，硅片的等离子刻蚀的原理是在低压下，工艺气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是W带电的电子和离子组成，刻蚀腔室中的工艺气体在电子的撞击下，除r转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。