技术编号：14497965
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体封装领域，更具体地涉及一种半导体封装结构。背景技术近年来，随着功率电子领域需求的提高，能实现转换和控制电能流动的半导体功率器件正被广泛地研究和开发，尤其是需要实现功率开关的器件，例如能够控制大功率和实现高性能的功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)、功率双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)、绝缘栅双极性晶体管(Insulat...
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