技术编号:14521146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种低电阻低泄漏半导体器件。背景技术近年来,由于具有很高潜力替代用于高电压(HV)器件应用的Si器件或SiC器件,基于III-氮化物(氮化镓(GaN)或氮化铝镓(AlGaN)等)的高迁移率晶体管(HEMT)和肖特基二极管已经受到了很多关注。HEMT和二极管都存在动态(例如,开关、脉冲、RF)条件下的导通电阻(Ron)显著高于DC条件下的导通电阻的问题。发明内容提供本概述是为了以简化的形式介绍构思的选择,所述构思将在下面的具体实施方式中进一步描述。本概述不旨在确定...
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