技术编号:14527308
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术在鳍式场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中,为了提高器件的性能,可以对鳍片的端部进行刻蚀以形成凹陷,然后在凹陷中外延生长半导体材料,从而向沟道引入期望的应力。为了改善外延生长的半导体材料的形貌,可能会在浅沟槽隔离(STI)区上形成伪栅结构。但是,发明人发现,STI区的上表面低于鳍片的上表面,而随着半导体器件的关键尺寸的逐渐缩小,STI区上的伪栅结构如果稍有偏离则会与鳍片搭起来,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。