技术编号：14543869
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于高性能树脂基陶瓷前驱体制备技术领域，特别涉及一种耐热氧化性能优良的超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体的合成方法。背景技术SiC作为基体具有耐高温、硬度大、强度高、高温性能优异的优点，同时其高温氧化后在材料表面形成一层SiO2薄膜，能够避免氧化性气体与复合材料直接接触，从而达到提高复合材料抗氧化性能的目的。在耐高温材料领域可望得到广泛应用。超支化聚碳硅烷（HPCS）具有流动性好、可自交联及陶瓷产率高，陶瓷产物近化学组成等优点，是制备SiC陶瓷的理想先驱体，国内现阶段合成的超支化聚碳硅烷兼具室温下为...
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