技术编号：14573419
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅基GaN蓝光LED外延材料制作垂直结构LED的工艺。背景技术在第一代半导体Si材料上生长第三代半导体Ga N材料是一项富有挑战性的研究工作，受到了国内外广泛关注。可是，Si和Ga N之间存在巨大的晶格失配使GaN外延层产生大量的失配位错，巨大的热失配引起外延层降温过程中龟裂，Si衬底与活性N很容易形成无定形的SixNy，不利于单晶GaN膜的外延生长。直到最近几年在Si衬底上生长GaN LED外延膜才取得了明显的进展。但目前Si衬底上生长的GaN LED的光电性能，与在蓝宝石衬底或碳化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。