技术编号:14609088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储技术领域,具体涉及一种NandFlash地址映射及块管理方法。背景技术NANDFlash通过缩小工艺尺寸和采用多电平技术可大大降低了闪存单位比特的成本,但是这也同时带来其他的问题,主要表现为器件性能的退化:如访问速度下降、误码率上升、耐久度下降以及保持特性变差等。其中耐久度是指存储单元所能承受的最大编程和擦除次数(P/E Cycles)。之所以会存在最大的擦写次数,是因为闪存的编程和擦除操作都是通过电子隧穿机制进行的,大量的使用隧穿会对隧穿氧化层产生应力,导致浮栅层的电学性能退化,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。