技术编号:14611474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种阻变式存储器及其制造方法。背景技术在NVM(Non-volatile Memory,非易失存储器)中,RRAM(Resistive Random Access Memory,阻变式随机存取存储器)越来越引起人们的兴趣,这种存储器具有结构简单、低功耗、运行快和高密度集成等优点。对于RRAM,为了有利于制造和电气运行,选择合适的电极是一个关键问题。RRAM单元的底部电极(bottom electrode,简称为BE)处在后段制程(Back End Of Line...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。