技术编号：14681821
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通过引用将于2016年12月2日提交的题为“Semiconductor Memory Devices”的韩国专利申请No.10-2016-0163764全部合并于此。技术领域本文中的一个或多个实施例涉及半导体存储器件。背景技术在具有更大功能和集成度的情况下且在更低的成本下，正在努力使半导体器件更小。增加集成度降低了半导体器件中图案的线宽。这可能会不利地影响性能。发明内容根据一个或多个实施例，一种半导体存储器件包括：包含有源区的衬底；在第一方向上延伸跨过所述有源区的字线；在所述字线之间的所述有源区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。