技术编号:14687693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED外延片制造领域,尤其涉及一种LED外延片衬底结构及制造方法。背景技术发光二极管(LED)具有使用寿命长,光效高的特点,因而正在取代人们一直以来使用的传统光源。LED作为一种将电能转化为光能的元件,它通过与活性层接合的半导体上的电子与空穴结合而发光。其中活性层一般是形成氮化物半导体,这种半导体的折射率为2.45,远远高出大气里的对应值(n=1)。当光从折射率高的物质射向折射率底的物质时,若光的入射角大于临界角,则会发生全反射现象。这种由全反射导致的光损失是降低发光二极管元件发光效率...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。