技术编号:14731638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种相变化记忆体以及制造相变化记忆体的方法。背景技术计算机或其他电子装置通常配置有各种类型的记忆体,例如随机存取记忆体(RAM)、只读记忆体(ROM)、动态随机存取记忆体(DRAM)、同步动态随机存取记忆体(SDRAM)、相变化随机存取记忆体(PCRAM)或快闪记忆体。相变化记忆体是非挥发性的记忆体,可通过量测记忆体单元的电阻值而获取储存于其中的数据。一般而言,相变化记忆体单元包含加热元件以及相变化单元,相变化单元会因为受热而发生相变化。当通入电流至加热元件时,加热元件将电能转变成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。