技术编号:14744941
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种太阳能电池硅片,特别涉及一种新型太阳能多晶硅片。背景技术太阳能电池用于带动负载或给蓄电池充电的电源。由于硅片表面是光面,具有较高的反射率,为了提高光的利用率,现有市场中的太阳能电池一般在硅片的表面做出陷光结构——制绒,利用单晶硅的各向异性腐蚀在硅片的表面生成金字塔的结构,这种结构虽然可以减小硅片在光下的反射率,现有理想的陷光结构可以使电池的反射率在13%左右,但反射率仍然较高,从而导致光能的利用率较低,与此同时,在运输过程中也容易损坏。实用新型内容本实用新型的目的在于克服以上存...
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