技术编号：14784125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属线蚀刻液组合物，更详细地，涉及一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。背景技术在液晶显示器(LCD)等显示屏工业领域中对应屏幕的高品质化、高画质化及大面积化，需要提高液晶显示器(LCD)屏幕的应答速度。为此，使用将构成显示屏的半导体线路的薄膜晶体管(Thin film Transistor,TFT)的栅极(Gate)及源漏(Source Drain,S/D)区域由非以往的铬、铝及其合金的即阻抗较低的铜金属形成，而栅极电极运作时，增加源漏极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。