技术编号:14796475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种发光二极管及其制备方法、 照明装置。背景技术由于半导体发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有结构简单、 体积小、节能、高效、长寿、光线清晰等优点,近年来已逐渐取代白炽灯、 荧光灯等传统照明灯具,正成为新一代照明市场的主流产品,在光电系统中 的应用也极为普遍。目前,半导体发光二极管都是采用在衬底上生长发光功 能层(也称外延结构),衬底包括蓝宝石衬底或氮化镓基(GaN)衬底。经本申请发明人研究发现,由于衬底的折射率远远超过空气的折射率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。