技术编号：14834614
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体装置的形成方法，更特别涉及极紫外线光刻中光敏膜的组成，与采用此光致抗蚀剂膜的方法。背景技术半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路更小更复杂。在集成电路进化的课题中，功能密度(单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如工艺所能形成的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺优点在于增加产能并降低相关成本，不过也会增加集成电路工艺的复杂性。举例来说，当半导体工艺持续缩小间距至低于20nm的节点时，公知的i-...
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