技术编号：14875769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。背景技术在图像传感器的制造过程中，对半导体衬底的刻蚀会产生晶格缺陷或界面缺陷，这些缺陷会降低图像传感器的性能。因此，存在对新技术的需求。发明内容本公开的一个目的是提供一种新型的图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本公开的第一方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在光电二极管的周围形成凹槽，其中所述光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体衬底中的第一导电类型的第一掺杂区域；在所述凹槽中填充包括第二导电类型的离子的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。