技术编号:14935391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域后述的实施方式大致涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。背景技术近年来,一直尝试将氮化硅(Si3N4)基板适用于半导体电路基板。半导体电路基板使用着氧化铝(Al2O3)基板、氮化铝(AlN)基板。氧化铝基板的导热率为30W/m·k左右,但降低成本是可能的。另外,氮化铝基板的导热率成为160W/m·k以上的高导热化是可能的。另一方面,作为氮化硅基板开发了导热率为50W/m·k以上的基板。氮化硅基板与氮化铝基板相比导热率低,但三点抗弯强度为500MPa以上,优异。氮化铝基板的三点抗弯强度通...
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