技术编号:14952212
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。背景技术随着信息时代的到来,显示器件正加速向平板化、节能化的方向发展,其中以薄膜晶体管(TFT,thin film transistor)为开关元件的有源阵列驱动显示器件成为众多平板显示技术中的佼佼者。TFT是一种场效应半导体器件,包括衬底、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极等几个重要组成部分。其中有源层对器件性能以及制造工艺有至关重要的影响。在近十几年时间,以硅材料(非晶硅和多晶硅)作为有源层的TFT以其体积小、重量轻、品质高等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。