技术编号：14959533
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。这种基板处理装置例如从文献DE 10 2010 000 001 A1中已知。在其中，诸如硅晶片的平面半导体基板通过加工室被移动到板状基板托架上，以在半导体基板上沉积例如钝化层。为此目的，半导体基板被放置在基板托架的正面，而至少一个板状加热和/或冷却装置被布置成面向基板托架的背面。在这种基板处理装置中，在基板托架与加热和/或冷却装置之间通常有直接、平面接触，该加热和/或冷却装置例如可以是加热板。然而实际上，该平面接触从未理想地覆盖整个平面，而是因为实际上在基板托架和加热板的表面中的不均匀性，导致通...
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