技术编号:15024534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜晶体管制备技术领域,具体涉及一种基于Al2O3高k介质层的GaSnO场效应器件及其制备方法。背景技术薄膜晶体管(Thin-Film Transistors, TFTs)是一种场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET),由栅电极、介质层、有源层以及源漏电极构成。薄膜晶体管主要应用于平板显示技术中的液晶显示器(Liquid Crystal Displays, LCD)以及有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix\/Organic Light Em...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。