技术编号：15024928
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种Ni\/Cu2O纳米薄膜的制备方法。背景技术氧化亚铜(Cu2O)是一种直接带隙的P型半导体材料，可以直接对太阳光进行利用，在太阳能材料、光电转换材料、光催化降解材料和光裂解制氢等领域具有重要的发展前景。单纯的Cu2O禁带宽度较窄，约为2.1eV，导致Cu2O的空穴与电子容易复合从而降低了光电转换效率，载流子寿命较低导致量子转化效率较低。由于在Cu2O的晶格中存在带负电的Cu空位和间隙O原子，为了改善Cu2O的结构与性能，很多研究者通过复合和掺杂两种方法抑制光生电荷的复合，促进光生电...
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