技术编号：15046112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻机领域，特别涉及一种光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法。背景技术当前的光刻机一般采用投影曝光的形式，掩模版位于投影物镜的物面，放置在掩模台上；涂胶硅片放置在工件台上，上表面位于投影物镜的像面。硅片上表面的位置由调平调焦传感器控制。另外，存在掩模对准传感器和硅片对准传感器，用来确定掩模版和硅片的相对位置。对准传感器可采用光栅对准形式，也可采用CCD图像匹配的形式。对于光栅对准的形式，现有技术中提出一种用硅片对准传感器测量曝光线条变化趋势，从而获得最佳焦面位置的方法。而对于使用CCD图...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。