技术编号:15048803
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,具体而言,涉及一种半导体器件沟槽内场板埋层终端结构及制造方法。背景技术为了降低包含金属氧化物半导体结构(MOS)的器件的压降或通态电阻,随着半导体工艺的进步,沟槽结构的MOS器件逐渐成为产品主流。如沟槽MOSFET(Trench Power MOSFET)、沟槽肖特基势垒二极管(TMBS diode)、沟槽IGBT(Trench IGBT)等沟槽结构功率半导体器件。对于沟槽结构的MOS器件的终端更多的是沿用平面器件的终端技术,如场板技术、场限环终端技术,JTE终端技术、...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。