技术编号：15077703
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开属于半导体器件技术领域，涉及一种具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管(Trench-JBS)及其制作方法，尤其涉及一种在Trench之间(正向电流沟道)及P++注入下方进行N型离子注入，实现具有N+CSL输运层的SiC TJBS结构。背景技术碳化硅材料具有优良的物理和电学特性，以其宽的禁带宽度、高的热导率、大的饱和漂移速度和高的临界击穿电场等独特优点，成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想半导体材料，在军事和民事方面具有广阔的应用前景。以SiC材料制作的电力电子器件已成为...
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