技术编号:15204834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域,特别涉及一种基于n-VO2\/p-NiO的异质结构及制备方法。背景技术二氧化钒(VO2)在341K的临界温度(Tc)下发生温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变,并伴随着晶体对称性的改变。在低于Tc的温度下,VO2处于单斜晶相(P21\/c)的半导体态,其中V原子对的能量间隙为0.6eV。在高于Tc的温度下,VO2处于四方晶系(P42\/mnm)金属态,其中在费米能级和V3d带之间的重叠消除了上述带隙。这种晶体对称性和电子带结...
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