技术编号:15219525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法。背景技术现有的半导体工艺中,例如32nm的闪存制备工艺中,制备接触孔采用的方法是,在晶圆表面形成光刻胶,通过曝光显影后形成具有刻蚀图案的光阻,然后采用一次刻蚀在晶圆表面形成接触孔。但是,这样形成的接触孔会存在严重的缺陷。由于采用的是一次刻蚀的工艺,为了保证接触孔的充分刻蚀,往往需要采用较长的过刻蚀时间,但是过刻蚀时间越长,就意味着光阻和晶圆受到的损伤越大,从而使得接触孔产生弯曲条纹状的缺陷。发明内容针对上述问题,本发明提出了一种接触孔的刻蚀...
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