技术编号:15308337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种安装钻石底半导体晶圆于载体基板上以用于后续钻石底半导体晶圆上的半导体装置制造的方法。本发明也关于使用本文描述的方法制造于载体基板上的钻石底半导体晶圆以及在此种载体基板上的钻石底半导体晶圆的半导体侧上制造一种或多种半导体装置结构的方法。背景技术例如钻石底氮化镓(GaN)晶圆的钻石底半导体晶圆在本领域为习知的。举例来说,US7595507、US8283189以及US8283672揭露钻石底氮化镓晶圆及制造方法。为了在钻石底氮化镓晶圆上制造半导体装置,钻石底氮化镓晶圆需符合某些机械(me...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。