技术编号:15308494
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明各实施例涉及基底图案化,且更具体来说,尤其涉及用于以离子对基底进行植入以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物的技术。背景技术等离子体浸没离子植入是通过产生含有欲被植入于半导体芯片或工件中的物质的离子的等离子体来执行。所述等离子体可利用处于反应器腔室顶处的等离子体源(例如,环形等离子体源)来产生。通过将非常高的射频偏压(例如,10kV至20kV)经由芯片支撑基座内的绝缘阴极电极而耦接至半导体芯片来提供足以在芯片表面下实现所期望的离子植入深度轮廓的离子能量。高的植入剂量速率需要高的等离子体离子密度,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。