技术编号：15308626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。1.发明领域本发明涉及半导体技术。具体而言，本发明涉及存储器单元技术以及电阻式随机存取存储器单元技术。本发明涉及低漏泄电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元。2.现有技术ReRAM推挽存储器单元由于其小尺寸和可缩放性而成为用于高级现场可编程门阵列(FPGA)集成电路的有吸引力的配置存储器。ReRAM存储器器件和从那些器件配置的存储器单元的示例在美国专利No.8,415,650中公开。ReRAM器件基本上是由固体电解质分开的两个金属板，其中一个金属板用作金属离子源。固体电解质具有两个状态。在第一状...
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