技术编号:15353385
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种晶圆的清洗方法。背景技术如图1A至图1D所示,是现有晶圆的清洗方法的各步骤中的器件结构图,现有方法如图1A至图1D所示,是现有方法各步骤中的器件结构图,现有晶圆101的清洗方法包括如下步骤:步骤一、如图1A所示,提供一晶圆101。通常,所述晶圆101由单晶硅衬底圆片组成。在所述晶圆101的正面表面形成有二氧化硅层102,在所述二氧化硅层102上积累有第一导电类型电荷103;或者,在所述晶圆101的正面表面形成有氮化硅层,在所述氮化硅层上积累有第...
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