技术编号:15355567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光器,特别是一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法。背景技术随着光纤通信的快速发展,单模和高速直调激光器成为未来光通信领域里的主流光器件,是长距离和大容量光纤通信的关键器件。其广泛应用在短距离数据中心、有线电视等领域。DFB(distributed feedbacklaser semiconductor laser)激光器,即为分布反馈式半导体激光器,通过在激光器内部制备周期性分布的光栅对光进行耦合和选模,实现单模输出。通常DFB激光器在工作时,存在腔面的FP模式和DFB模式的竞争...
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