技术编号:15392295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种3D NAND检测结构及其形成方法。背景技术随着3D NAND技术的不断发展,3D NAND的存储结构已超过64层,存储阵列芯片和外围CMOS电路芯片同时并行开发有助于进一步提高开发效率。即便不同代的存储阵列芯片也可以共享相似的CMOS电路芯片以获得更高的存储容量和存储单元密度。除了与工艺相关的基础研究之外,在技术节点达到更高一代的情况下,如何快速进行读取测试非常重要。目前,3D NAND存储器的读取检测过程主要分为三个阶段:第一阶段是通过半人工的纳米探针读...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。