技术编号:15451926
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,尤其涉及一种用于检测氮浓度的结构及方法。背景技术半导体器件制造过程中,通常采用氮化物的介质材料,并且需要对氮化物中的氮浓度进行检测,以便为后续工艺提供参考。参考图1中所示,目前,通常直接采用X射线衍射(XRD)对半导体衬底10上的含氮结构11中的氮12的浓度进行检测,氮浓度的检测结果参考图2中所示。图2中横坐标表示XRD检测的次数,纵坐标表示氮含氮结构12中的氮浓度。从图2中可以看出,经过X射线检测之后,含氮结构12中的氮浓度产生变化,并逐渐升高。申请人研究...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。