技术编号:15454852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法。背景技术ITO靶材是一种由氧化铟粉末和氧化锡粉末经过成型、烧结而成的黑灰色陶瓷半导体,是生产ITO薄膜的重要原料。经过多年的发展,目前ITO靶材的制备工艺已经比较成熟,方法多种多样,但是仍然存在烧结不够充分、加工时间长、生产工艺复杂、生产效率低等问题,ITO靶材的密度还有很大的提升空间。传统的工艺在进行ITO靶材烧结时,ITO靶材的摆放主要分为以下两种方法:1)直接摆放法:将靶坯直接放置在承烧板上,然后一起放进烧结炉中进行烧结,由于靶坯与承烧板相...
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