技术编号:15464264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及浅沟槽隔离结构及其形成方法,图像传感器。背景技术随着集成电路高密度的发展趋势,构成电路的器件更紧密地放置在芯片中以适应芯片的可用空间。相应地,半导体衬底单位面积上有源器件的密度不断增加,因此器件之间的有效绝缘隔离变得更加重要。浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)技术具有良好的隔离效果(例如工艺隔离效果和电性隔离效果),浅沟槽隔离技术还具有减少占用晶圆表面的面积、增加器件的集成度等优点。因此,随着集成电路尺寸的减小,器件有源...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。