技术编号：15504306
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏组件技术领域，特别是指一种蒸镀装置。背景技术CIGS(CuInxGa(1-x)Se2，铜铟镓硒)薄膜太阳电池具有稳定性好、光电转换效率高、弱光性能好等优点，因而日益受到产业界的青睐。CIGS薄膜太阳电池作为整个电池中最关键的功能层，其吸收层材料一般选择在真空条件下采用蒸发或磁控溅射法沉积。在使用钠钙玻璃作为支撑整个电池结构的衬底时，尤其在采用较为普遍的三步共蒸发工艺制备CIGS吸收层的过程中，衬底温度对薄膜结晶质量有重要影响。一方面，如果衬底温度太低，薄膜晶粒小，导致晶界增大，会形...
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