技术编号:15509755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于氮化碳纳米片技术领域。具体涉及一种高比表面积原子层厚氮化碳纳米片及其制备方法。背景技术随着现代工业化的迅猛发展,能源危机和环境污染问题日趋严重。半导体光催化技术能够在温和的条件下将太阳能转化成化学能,也能氧化分解有机污染物,在解决环境污染和能源短缺方面表现出巨大的潜力。然而,传统TiO2基无机半导体光催化剂的太阳能利用率低、光量子效率低和易失活,严重地制约了光催化技术的实际应用。因此,开发新型高效光催化剂和拓宽光催化剂的光响应范围,成为当前光催化剂领域的研究热点。石墨相氮化碳是一种由高...
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